Plasma unterstütztes Abscheideverfahren, Halbleitervorrichtung und Abscheidevorrichtung

摘要

Plasma unterstütztes Abscheideverfahren einer Materialschicht (5), bei dem ein erster Ausgangsstoff (7) und ein zweiter Ausgangsstoff (8) gasförmig in eine Reaktionskammer (1) eingeleitet werden und an einer chemischen Abscheidereaktion teilnehmen, durch die auf einem Oberflächenbereich (4) eines in der Reaktionskammer (1) angeordneten Substrates (3) die Materialschicht (5) abgeschieden wird, wobei die Einleitung (12) des ersten Ausgangsstoffes (7) und/oder eine Bewegung (22) des Substrates (3) derart vorgenommen wird, dass die Konzentration des ersten Ausgangstoffes (7) in einem Raum (6) oberhalb des Oberflächenbereiches (4) impulsförmig variiert wird und in dem Raum (6) zumindest teilweise eine chemische Gasphasenreaktion des ersten Ausgangsstoffes (7) mit einem Reaktionspartner abläuft, und wobei der zweite Ausgangsstoff (8) derart eingeleitet wird, dass dessen Konzentration im Raum (6) oberhalb des Oberflächenbereiches (4) konstant ist, und der zweite Ausgangsstoff (8) mittels einer Plasmaentladung für eine chemische Reaktion mit dem ersten Ausgangsstoff (7) aktiviert wird.