| 摘要 |
Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur, umfassend die Schritte: Bereitstellen einer Vielzahl von Halbleiterchips (16a–c) so, dass Freiräume (26a, b; 128a, b) zu benachbarten Halbleiterchips verbleiben; Verkapseln der Halbleiterchips (16a–c) mit einem ersten Verkapselungsmaterial (24; 124) so, dass die Freiräume (26a, b; 128a, b) zwischen den Halbleiterchips aufgefüllt sind, wobei die Verkapselungsschicht die Halbleiterchips zusammenbondet; Ausbilden von Metallleiterbahnen (34a, f, g, l, m; 135d, e) auf den Halbleiterchips (16a–c), die jeweils mit einer Kontaktstelle (22a–c) auf einer Vorderseite eines Halbleiterchips (16a–c) verbunden sind und sich über die Abmessung (36a–d) des Halbleiterchips (16a–c) hinaus erstrecken; und Vereinzeln von Chip-Bauteilen (44a–c; 140a–c; 222a–c), die jeweils einen Halbleiterchip (16a–c) und Metallleiterbahnen (34a, f, g, l, m; 135d, e), die jeweils mit der Kontaktstelle (22a–c) des Halbleiterchips (16a–c) verbunden sind und sich über die Abmessung (36a–d) des Halbleiterchips (16a–c) hinaus erstrecken, umfassen, im Bereich der mit Verkapselungsmaterial (24; 124) aufgefüllten... |
