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Integrierte Schaltung, umfassend: eine erste FET-Anordnung mit einem Source-Bereich, einem Gate und einer Drain-Erweiterungsregion, wobei das Gate der ersten FET-Anordnung elektrisch mit einer Stromversorgungsspannung der integrierten Schaltung gekoppelt ist so, dass während des Betriebs der integrierten Schaltung am Gate der ersten FET-Anordnung die Stromversorgungsspannung anliegt und die erste FET-Anordnung während des Betriebs der integrierten Schaltung immer eingeschaltet ist; und eine zweite FET-Anordnung mit einem Source-Bereich, einem Drain-Bereich und einem Gate, wobei der Drain-Bereich der zweiten FET-Anordnung elektrisch mit dem Source-Bereich der ersten FET-Anordnung gekoppelt ist, wobei der Source-Bereich der ersten FET-Anordnung und der Drain-Bereich der zweiten FET-Anordnung eine einzige kontinuierliche Region aus dotiertem Halbleitermaterial umfassen, wobei die integrierte Schaltung ausgestaltet ist, so dass sie ein Hochspannungssignal an die Drain-Erweiterungsregion anlegt, und wobei der Betrieb ein Umschalten des Zustandes der zweiten FET-Anordnung umfasst.
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