| 发明名称 |
IN-GA-ZN OXIDE SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME |
| 摘要 |
<p>A sputtering target comprising InGaZnO4 and an oxide (A) having a diffraction peak in regions A - K of 2? = 7.0º - 8.4º, 30.6º - 32.0º, 33.8º - 35.8º, 53.5º - 56.5º, 56.5º - 59.5º, 14.8º - 16.2º, 22.3º - 24.3º, 32.2 - 34.2º, 43.1º - 46.1º, 46.2º - 49.2º and 62.7º - 66.7º.</p> |
| 申请公布号 |
WO2012153491(A1) |
申请公布日期 |
2012.11.15 |
| 申请号 |
WO2012JP02917 |
申请日期 |
2012.04.27 |
| 申请人 |
IDEMITSU KOSAN CO.,LTD.;SUNAGAWA, MISA;ITOSE, MASAYUKI;NISHIMURA, MAMI;KASAMI, MASASHI |
发明人 |
SUNAGAWA, MISA;ITOSE, MASAYUKI;NISHIMURA, MAMI;KASAMI, MASASHI |
| 分类号 |
C23C14/34;C04B35/00;H01B5/14;H01L21/363 |
主分类号 |
C23C14/34 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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