发明名称 Durchkontaktierung für Halbleiterwafer und Herstellungsverfahren
摘要 <p>Durchkontaktierung für Halbleiterwafer, bei der–ein Basis-Wafer (1) mit einem Anschluss-Pad (3) versehen ist,–ein Abdeck-Wafer (2) auf dem Basis-Wafer (1) angeordnet ist,–der Abdeck-Wafer (2) eine Schichtstruktur (20) aufweist, die für ein elektronisches Bauelement oder eine integrierte Schaltung vorgesehen ist,–die Schichtstruktur (20) des Abdeck-Wafers (2) auf einer dem Basis-Wafer (1) zugewandten Seite des Abdeck-Wafers (2) angeordnet ist und auf einer von dem Basis-Wafer (1) abgewandten Seite einen Anschluss-Pad (21) aufweist, der als elektrischer Anschluss des Bauelementes oder der Schaltung vorgesehen ist,–der Abdeck-Wafer (2) über den Anschluss-Pads (3, 21) durchgehende Öffnungen (25) aufweist,–eine Lotkugel (5), die mit dem Anschluss-Pad (3) des Basis-Wafers (1) elektrisch leitend verbunden ist, in der Öffnung (25) über diesem Anschluss-Pad (3) angeordnet ist und–eine weitere Lotkugel (22), die mit dem Anschluss-Pad (21) des Abdeck-Wafers (2) elektrisch leitend verbunden...</p>
申请公布号 DE102009036033(B4) 申请公布日期 2012.11.15
申请号 DE20091036033 申请日期 2009.08.04
申请人 AUSTRIAMICROSYSTEMS AG 发明人 ROHRACHER, KARL;SCHRANK, FRANZ
分类号 H01L23/50;B81C3/00;H01L21/50;H01L21/60;H01L23/02 主分类号 H01L23/50
代理机构 代理人
主权项
地址