Feldeffekttransistoren einschließlich Source/Drain-Regionen, welche sich unter Säulen erstrecken

摘要

Feldeffekttransistor aufweisend: ein Substrat (100); eine Säule (170), die sich von dem Substrat (100) weg erstreckt, wobei die Säule (170) eine an das Substrat (100) angrenzende Basis (152), ein von dem Substrat (100) beabstandetes oberes Ende (154) und eine Seitenwand (145), die sich zwischen der Basis (152) und dem oberen Ende (154) erstreckt, aufweist; ein isoliertes Gate (155, 160) auf der Seitenwand (145); eine erste Source/Drain-Region (175; 305) in dem Substrat (100) unter der Säule (170) und an das isolierte Gate (155, 160) angrenzend; und eine zweite Source/Drain-Region (180; 225; 280; 310), die im Vergleich zu der ersten Source/Drain-Region (175; 305) stark dotiert ist, in dem Substrat (100) unter der Säule (170) und beabstandet von dem isolierten Gate (155, 160).