发明名称 Hochreflektierendes Trägermaterial für lichtemittierende Dioden und lichtemittierende Vorrichtung mit einem derartigen Trägermaterial
摘要 Trägermaterial (1) für lichtemittierende Dioden (2), mit einer eine Oberseite (1a) bildenden, elektrisch isolierenden Isolationsschicht (4), auf der die Dioden (2) aufbringbar sind, dadurch gekennzeichnet, dass die Isolationsschicht (4) mehrere Teilschichten (5, 7, 7a), umfasst, und zwar eine erste Teilschicht (5), welche als transparente, elektrisch isolierende Schutzschicht (5) ausgebildet ist, sowie ein unter der Schutzschicht (5) liegendes Schichtsystem (6), das mindestens eine zweite Teilschicht (7, 7a) umfasst, welche aus einem dielektischen Material besteht und zusammen mit einer unter dieser dielektrischen zweiten Teilschicht (7, 7a) liegenden metallischen Schicht (8, 10) einen nach DIN 5036-3 gemessenen Grad der Gesamtreflexion von Licht von mindestens 85,0 Prozent aufweist.
申请公布号 DE202011050976(U1) 申请公布日期 2012.11.15
申请号 DE20112050976U 申请日期 2011.08.12
申请人 ALANOD ALUMINIUM-VEREDLUNG GMBH & CO. KG 发明人
分类号 H01L33/60 主分类号 H01L33/60
代理机构 代理人
主权项
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