发明名称 |
带冷却电极的大面积均匀高密度等离子体产生系统 |
摘要 |
本发明公开了一种带冷却电极的大面积均匀高密度等离子体产生系统,其特征是:包括等离子体产生腔体(1)、电源(2)、冷却系统(3)和真空装置(4),真空装置(4)用于对等离子体产生腔体(1)进行抽气和充气,调整腔体内气压和气体组分;电源(2)用于对等离子体产生腔体(1)内的气体做功,产生等离子体,冷却系统(3)用于对等离子体产生腔体(1)内的高压电极(105)进行冷却。本发明具有以下优点:最大注入功率得到大大提高,产生的大面积等离子体电子密度更高。 |
申请公布号 |
CN102781155A |
申请公布日期 |
2012.11.14 |
申请号 |
CN201210254991.7 |
申请日期 |
2012.07.23 |
申请人 |
西安电子科技大学 |
发明人 |
李小平;刘东林;谢楷;刘彦明;黎剑兵;杨敏 |
分类号 |
H05H1/24(2006.01)I |
主分类号 |
H05H1/24(2006.01)I |
代理机构 |
西安吉盛专利代理有限责任公司 61108 |
代理人 |
张培勋 |
主权项 |
带冷却电极的大面积均匀高密度等离子体产生系统,其特征是:包括等离子体产生腔体(1)、电源(2)、冷却系统(3)和真空装置(4),真空装置(4)用于对等离子体产生腔体(1)进行抽气和充气,调整腔体内气压和气体组分;电源(2)用于对等离子体产生腔体(1)内的气体做功,产生等离子体,冷却系统(3)用于对等离子体产生腔体(1)内的高压电极(105)进行冷却。 |
地址 |
710071 陕西省西安市太白南路2号西安电子科技大学 |