包括响应DC偏压控制的真空等离子体处理器

摘要

一种等离子体处理腔包括下电极和上电极组件，该组件具有被接地电极围绕着的中心电极。各电极之间射频激发的等离子体在这些电极上感应出DC偏压。下电极DC偏压量控制着连接在中心电极和接地之间的第一串联谐振电路的电容器。中心电极DC偏压量控制着连接在下电极和接地之间的第二串联谐振电路的电容器。

主权项

一种真空等离子体处理器，包括：用于处理工件的真空等离子体腔，所述腔体包括与腔内气体电耦合的第一电极组件以及与腔内气体电耦合的第二电极组件，所述第一电极组件包括第一电极，所述第二电极组件包括彼此分隔开的第二和第三电极；连接到所述电极中的至少一个电极的AC电源装置，所述AC电源装置具有足够大的功率，可将腔内气体激发成等离子体；所述腔体和所述电极组件被安排成，(a)使等离子体激发AC电场存在于所述第一和第二电极组件之间，所述AC电场的频率就是所述电源装置的频率，和(b)响应于腔内气体被激发成等离子体的过程使所述电极中的至少一个电极上逐渐形成DC偏压；用于检测所述DC偏压的检测器；以及连接成响应于所述检测器以便控制所述等离子体激发AC电场的电路系统，所述第一电极组件包括大致围绕所述第一电极的第四电极；所述第四电极与所述第一、第二和第三电极共轴且具有环形边界，并且基本与所述第一电极共面；所述腔体和所述电极组件被安排成使处于所述电源装置的AC频率的第三电场线存在于所述第一和所述第四电极之间；所述腔体、电极组件和电路系统被安排成使所述电路系统响应于所述检测到的DC偏压来影响所述第三电场线。