| 发明名称 | 包括具有前侧和背侧的硅单晶衬底和沉积于前侧上的SiGe层的晶片的生产方法 | ||
| 摘要 | 晶片的生产方法，所述晶片包括具有前侧和背侧的硅单晶衬底和沉积于所述前侧上的SiGe层，所述方法包括下列顺序的步骤：同时抛光硅单晶衬底的前侧和背侧；在硅单晶衬底的背侧上沉积应力补偿层；抛光硅单晶衬底的前侧；清洁背侧上沉积了压力补偿层的硅单晶衬底；和在硅单晶衬底的前侧上沉积完全或部分松驰的SiGe层。 | ||
| 申请公布号 | CN101887848B | 申请公布日期 | 2012.11.14 |
| 申请号 | CN201010129041.2 | 申请日期 | 2010.03.04 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | P·施托克;T·布施哈特 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 晶片的生产方法，所述晶片包括具有前侧和背侧的硅单晶衬底和沉积于所述前侧上的SiGe层，所述方法包括下列顺序的步骤：同时抛光硅单晶衬底的前侧和背侧；在硅单晶衬底的背侧上沉积应力补偿层；在用于改进晶片的局部平整度的沉积应力补偿层之后，抛光硅单晶衬底的前侧；清洁背侧上沉积了应力补偿层的硅单晶衬底；和在硅单晶衬底的前侧上沉积完全或部分松驰的SiGe层，其中在硅单晶衬底的背侧上的应力补偿层提供合适的应力量，以补偿在硅单晶衬底的前侧上沉积完全或部分松驰的SiGe层后将晶片从沉积温度冷却期间产生的应力。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||