| 发明名称 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 所公开的半导体装置，包括：绝缘层；嵌入在绝缘层中的源电极和漏电极；接触于绝缘层、源电极和漏电极的氧化物半导体层；覆盖氧化物半导体层的栅极绝缘层；以及栅极绝缘层上的栅电极。接触于氧化物半导体层的绝缘层的上表面的均方根（RMS）粗糙度是1nm以下。绝缘层的上表面与源电极的上表面有高度差，以及绝缘层的上表面与漏电极的上表面有高度差。优选高度差为5nm以上。本结构有助于抑制半导体装置的缺陷且实现其微型化。 | ||
| 申请公布号 | CN102782822A | 申请公布日期 | 2012.11.14 |
| 申请号 | CN201180013014.1 | 申请日期 | 2011.02.14 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;乡户宏充 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L27/08(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 叶晓勇;朱海煜 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：绝缘层；嵌入在所述绝缘层中的源电极及漏电极；在所述绝缘层、所述源电极和所述漏电极上且与其接触的氧化物半导体层；所述氧化物半导体层上的栅极绝缘层；以及所述栅极绝缘层上的栅电极，其中，所述绝缘层的上表面与所述源电极的上表面有高度差，以及所述绝缘层的上表面与所述漏电极的上表面有高度差。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||