| 发明名称 | 在Si衬底上制备纤锌矿相M<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O单晶薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在Si衬底上制备MxZn1-xO(M＝Mg，Be)单晶薄膜的方法，包括：在Si衬底表面上沉积Be金属单晶薄膜；氧化Be金属薄膜以获得BeO单晶层；在BeO单晶层上沉积MxZn1-xO单晶薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN102776567A | 申请公布日期 | 2012.11.14 |
| 申请号 | CN201110119774.2 | 申请日期 | 2011.05.10 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 梅增霞;梁会力;梁爽;叶大千;刘章龙;崔秀芝;刘尧平;杜小龙 |
| 分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人 | 王勇 |
| 主权项 | 一种在Si衬底上制备MxZn1‑xO单晶薄膜的方法，包括：1)在Si衬底表面上沉积Be金属单晶薄膜；2)氧化Be金属薄膜以获得BeO单晶层；3)在BeO单晶层上沉积MxZn1‑xO单晶薄膜，其中M为Mg或Be，0≤x≤1。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街8号 | ||