发明名称 |
制造半导体器件的方法 |
摘要 |
提供了一种制造半导体器件的方法,该方法防止杂质进入SOI基板。激发包括从氢气、氦气、或卤素气体中选择的一种或多种气体的源气体以产生离子,并且将这些离子添加到接合基板,由此在接合基板中形成了形成了易碎层。然后,通过蚀刻、抛光等,除去接合基板的表面上和其附近的区域,即从比易碎层浅的位置到其表面这一区域。接下来,在将接合基板粘贴到底部基板之后,在易碎层处分离接合基板,由此,在底部基板上形成半导体膜。在底部基板上形成半导体膜之后,利用该半导体膜形成半导体元件。 |
申请公布号 |
CN101409214B |
申请公布日期 |
2012.11.14 |
申请号 |
CN200810166515.3 |
申请日期 |
2008.10.09 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
大沼英人;饭漥阳一;山崎舜平 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
侯颖媖 |
主权项 |
一种制造半导体器件的方法,包括:通过向半导体基板添加离子,在所述半导体基板中形成易碎层;除去所述半导体基板的一区域,所述区域是从比易碎层浅的位置到所述半导体基板的表面;以及将所述半导体基板粘贴到底部基板,然后,在易碎层处分离所述半导体基板,由此,在底部基板上形成半导体膜。 |
地址 |
日本神奈川县 |