| 发明名称 | 一种补偿电容的电压调制效应的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种补偿电容的电压调制效应的方法，包括：提供至少一个第一电容元件，其具有正的电压系数VCC1和有效电容面积S1；提供至少一个第二电容元件，其具有负的电压系数VCC2和有效电容面积S2；并联所述第一电容元件和所述第二电容元件，使两者的电压调制效应相互抵消；其中，所述第一电容元件和所述第二电容元件的电压系数和有效电容面积满足关系：VCC1*S1+VCC2*S2＝0。 | ||
| 申请公布号 | CN101673736B | 申请公布日期 | 2012.11.14 |
| 申请号 | CN200910196449.9 | 申请日期 | 2009.09.25 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 孔蔚然;何军 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种补偿电容的电压调制效应的方法，其特征在于，包括：提供至少一个第一电容元件，其具有正的电压系数VCC1和有效电容面积S1；提供至少一个第二电容元件，其具有负的电压系数VCC2和有效电容面积S2；并联所述第一电容元件和所述第二电容元件，使两者的电压调制效应相互抵消；其中，所述第一电容元件和所述第二电容元件的电压系数和有效电容面积满足关系：VCC1*S1+VCC2*S2＝0，所述第一电容元件为MOS电容，所述第二电容元件为反向偏置的结电容。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 | ||