发明名称 |
没有隔离装置的存储器 |
摘要 |
本发明公开了一种基于没有隔离装置的存储单元的集成电路存储器。该存储单元被动地耦接至位线及字线。该存储单元包含串连的一反熔丝元件及一相变材料元件。穿过反熔丝层的一破裂细丝针对该相变元件作为一电极。控制电路是配置以施加偏压配置以用于该存储单元的操作,该偏压配置包含一第一写入偏压,配置以诱发相变材料中较高电阻相的一本体,以为所选择存储单元建立低于一读取门限的第一门限,该偏压配置还包含一第二写入偏压配置,配置以诱发相变材料中较高电阻相的较大本体,以为所选择存储单元建立高于该读取门限一第二门限,该偏压配置更包含一读取偏压配置,以施加该读取门限至该所选择存储单元。 |
申请公布号 |
CN102779827A |
申请公布日期 |
2012.11.14 |
申请号 |
CN201110246891.5 |
申请日期 |
2011.08.26 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
龙翔澜 |
分类号 |
H01L27/24(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/24(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
一种集成电路,其特征在于,包含:多条位线及多条字线;以及一存储单元阵列,被动地耦接至该多条位线及该多条字线,该存储单元阵列中的存储单元分别包含串连的一反熔丝元件及相变材料的一元件,该相变材料具有一较低电阻相及较高电阻相。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 |