发明名称 碳纳米管取向集合体的制造方法
摘要 本发明提供一种碳纳米管取向集合体的制造方法,含有如下工序:将溶解含有铝的金属有机化合物和/或金属盐及用于抑制该金属有机化合物和/或金属盐的缩聚反应的稳定剂于有机溶剂而成的催化剂负载膜涂布剂涂布在基板上而设置催化剂负载膜;将溶解含有铁的金属有机化合物和/或金属盐及用于抑制该金属有机化合物和/或金属盐的缩聚反应的稳定剂于有机溶剂而成的催化剂生成膜涂布剂涂布在所述催化剂负载膜上而设置催化剂生成膜;通过CVD法使碳纳米管取向集合体在基板上生长。
申请公布号 CN102781828A 申请公布日期 2012.11.14
申请号 CN201180011595.5 申请日期 2011.02.28
申请人 日本瑞翁株式会社;独立行政法人产业技术总合研究所 发明人 高井广和;上岛贡;T.B.霍昂;畠贤治;汤村守雄
分类号 C01B31/02(2006.01)I 主分类号 C01B31/02(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 张涛
主权项 一种碳纳米管取向集合体的制造方法,该方法包括以下工序:将催化剂负载膜涂布剂涂布在基板上而在所述基板上设置催化剂负载膜,所述催化剂负载膜涂布剂是在有机溶剂中溶解含有铝的金属有机化合物和/或金属盐、以及用于抑制该金属有机化合物及该金属盐的缩聚反应的稳定剂而得到;将催化剂生成膜涂布剂涂布在所述催化剂负载膜上而在所述催化剂负载膜上设置催化剂生成膜,所述催化剂生成膜涂布剂是在有机溶剂中溶解含有铁的金属有机化合物和/或金属盐、以及用于抑制该金属有机化合物及该金属盐的缩聚反应的稳定剂而得到;通过化学气相沉积法(CVD)法使碳纳米管取向集合体在所述基板上生长。
地址 日本东京都