| 发明名称 | 一种相变温度可调的FeRhPt复合薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及磁性材料领域，具体公开了一种相变温度可调的FeRhPt复合薄膜及其制备方法，本发明的相变温度可调的FeRhPt复合薄膜，包括单晶MgO基板以及其上的（FeRh）100-XPtX合金薄膜，其中x的取值范围为0<x<20。本发明通过采用单晶MgO（001）基板实现了FeRhPt薄膜的外延生长以及垂直取向，获得较为完美的CsCl有序结构；并且通过退火处理诱发FeRhPt复合薄膜完成的有序化，使材料具有反铁磁/铁磁相变，并制备获得一系列相变温度可调的FeRhPt复合薄膜。本发明具有制备方法简单、材料性能好等优点，适用于相变温度可调的FeRhPt复合薄膜的制备。 | ||
| 申请公布号 | CN102779533A | 申请公布日期 | 2012.11.14 |
| 申请号 | CN201210251569.6 | 申请日期 | 2012.07.19 |
| 申请人 | 同济大学 | 发明人 | 陆伟;陈哲;何晨冲;严彪 |
| 分类号 | G11B5/84(2006.01)I;H01F10/12(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I | 主分类号 | G11B5/84(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 许亦琳;余明伟 |
| 主权项 | 一种相变温度可调的FeRhPt复合薄膜，包括单晶MgO（001）基板以及其上的（FeRh）100‑XPtX合金薄膜，并且x的取值范围为0<x<20。 | ||
| 地址 | 200092 上海市杨浦区四平路1239号 | ||