晶片加工用薄膜及使用晶片加工用薄膜来制造半导体装置的方法

摘要

本发明在于提供一种在将具有由胶粘剂层及粘合薄膜构成的切割/管芯焊接薄膜的晶片加工用薄膜卷成滚筒状时，可充分地抑制在胶粘剂层发生转印痕的晶片加工用薄膜。本发明的晶片加工用薄膜的特征在于，具有：粘合薄膜，其由基材薄膜及设于所述基材薄膜上的粘合剂层构成；及胶粘剂层，其设于所述粘合剂层上，所述粘合剂层中，至少在对应于环框的部分，含有放射线聚合性化合物及第一光引发剂，在含有所述第一光引发剂的位置以外的部分，含有放射线聚合性化合物及其他的光引发剂，所述第一光引发剂会发生反应的光的波长与所述其他的光引发剂会发生反应的光的波长不同。

主权项

一种晶片加工用薄膜，其特征在于：具有：粘合薄膜，其由基材薄膜及设于所述基材薄膜上的粘合剂层构成；及胶粘剂层，其设于所述粘合剂层上，所述粘合剂层中，至少在对应于环框的部分，含有放射线聚合性化合物及第一光引发剂，在含有所述第一光引发剂的位置以外的部分，含有放射线聚合性化合物及其他的光引发剂，所述第一光引发剂会发生反应的光的波长与所述其他的光引发剂会发生反应的光的波长不同。