发明名称 一种WO<sub>3</sub>纳米晶的制备方法
摘要 本发明公开了一种WO3纳米晶的制备方法。本发明首先采用过氧化法制备了多聚过氧化钨酸溶液,添加非离子表面活性剂,通过回流使前躯体充分作用,最后对所制备的溶胶进行直接地高温煅烧,获得高质量的WO3纳米晶材料。该发明的优点在于:制备方法简单、成本低廉,制备的WO3纳米晶晶化质量高、分散性好,并可批量化工业生产等。该发明所制备的WO3纳米晶材料是一种对低浓度丙酮具有很高探测性能的气敏材料,可开发为针对丙酮的探测器材料,特别是应用于通过呼吸方式对糖尿病人的诊断器件。
申请公布号 CN102050493B 申请公布日期 2012.11.14
申请号 CN201110008823.5 申请日期 2011.01.14
申请人 中国科学院上海技术物理研究所 发明人 史继超;孙艳;吴杰;胡古今;陈鑫;戴宁
分类号 C01G41/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 C01G41/02(2006.01)I
代理机构 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人 郭英
主权项 一种WO3纳米晶的制备方法,其特征在于制备方法如下:1)将钨粉与30%过氧化氢溶液以[W]∶[H2O2]=1∶5~1∶10的摩尔比进行反应制备多聚过氧化钨酸溶液;2)将聚氧乙烯‑聚氧丙烯共聚物类的非离子表面活性剂P123、F127或PVP溶解到无水乙醇中,使其与所制备的多聚过氧化钨酸溶液按照[W6+]∶[表面活性剂]=2∶1~1∶1摩尔比进行混合,形成新的复合溶胶,并在80‑100℃回流作用1~3个小时,最后制得WO3基复合溶胶;3)将复合后的多聚过氧化钨酸溶胶倒入Al2O3坩埚,放入马弗炉中经450‑600℃的直接退火煅烧处理2‑8小时,完全烧去有机物,最后制得WO3纳米颗粒。
地址 200083 上海市玉田路500号