发明名称 |
具有电绝缘像素的探测器 |
摘要 |
具有电绝缘像素的探测器。根据本技术的实施,公开了一种探测器(18)。该探测器包含光电探测器阵列(44)和衬底层(50)。该光电探测器阵列包含多个光电二极管以及电绝缘该多个光电二极管的每个光电二极管的沟槽结构(81)或扩散栅格。该多个光电二极管和沟槽结构或深扩散栅格置于该光电探测器阵列的第一表面上,与第一表面相对的第二表面键合到衬底层。该衬底层通常由和光电探测器阵列相同的半导体材料制成,但制成衬底层的半导体材料是重掺杂且是导电的,从而提供与光电探测器阵列的阴极接触并提供机械支持。 |
申请公布号 |
CN1892250B |
申请公布日期 |
2012.11.14 |
申请号 |
CN200610099649.9 |
申请日期 |
2006.06.29 |
申请人 |
通用电气公司 |
发明人 |
W·李;G·E·波辛;G·S·泽曼;J·W·勒布兰克;J·D·肖尔特;R·G·罗德里格斯 |
分类号 |
G01T1/164(2006.01)I;G01T1/166(2006.01)I |
主分类号 |
G01T1/164(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
张雪梅;陈景峻 |
主权项 |
一种探测器(18),包含:光电探测器阵列(44),包含嵌在轻掺杂高电阻率半导体材料层的上表面中的多个光电二极管,所嵌入的光电二极管的表面与所述半导体材料层的上表面位于同一面,其中所述半导体材料层是双层结构中的一层,在所述双层结构中,与所述半导体材料层相邻且在其之下的层包括与所述半导体材料层的下表面电接触的衬底层,且其中所述衬底层经由穿过所述衬底层和半导体材料层并电耦合到相应光电二极管的背侧的相应通路电连接到所述光电探测器阵列中的每个光电二极管;以及将该多个光电二极管中每个光电二极管电绝缘的沟槽(74)结构。 |
地址 |
美国纽约州 |