发明名称 |
应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法 |
摘要 |
一种应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法,包括以下步骤:步骤1:在硅衬底1上生长二氧化硅层;步骤2:采用传统光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出多个沟槽;步骤3:分别用piranha、SC2、HF和去离子水清洗,除去沟槽底部剩余的二氧化硅层,露出硅衬底;步骤4:采用低压MOCVD的方法,在沟槽内生长GaAs缓冲层,然后在沟槽内的GaAs缓冲层上生长GaAs顶层;步骤5:采用化学机械抛光的方法,将超出沟槽的GaAs顶层抛光,抛光至与二氧化硅层齐平,完成材料的制备。 |
申请公布号 |
CN102263015B |
申请公布日期 |
2012.11.14 |
申请号 |
CN201110206037.6 |
申请日期 |
2011.07.22 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
周旭亮;于红艳;王宝军;潘教青;王圩 |
分类号 |
H01L21/205(2006.01)I;H01L21/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/205(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
一种应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法,包括以下步骤:步骤1:在硅衬底上生长二氧化硅层;步骤2:采用传统光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出多个沟槽;步骤3:分别用piranha、SC2、HF和去离子水清洗,除去沟槽底部剩余的二氧化硅层,露出硅衬底;步骤4:采用低压MOCVD的方法,在沟槽内生长GaAs缓冲层,然后在沟槽内的GaAs缓冲层上生长GaAs顶层;步骤5:采用化学机械抛光的方法,将超出沟槽的GaAs顶层抛光,抛光至与二氧化硅层齐平,完成材料的制备。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |