发明名称 CMOS温度传感器
摘要 一种片上温度传感器电路,其可以使用横向PNP晶体管以标准的CMOS过程实施。由于饱和电流,一对晶体管的集电极电流对电压具有敏感度。比例电阻器连接到一个晶体管的发射极,其电压与另一个晶体管的发射极电压由一个误差放大器进行比较,而产生一偏压到电流源,其与绝对温度成比例,因为饱和电流敏感度被减去了。该电流被镜像以从输出经过倍增电阻器而吸入电流。连接该倍增电阻器的放大器比较一参考电压,以设定直流偏压,其与温度敏感度无关。温度敏感度与倍增电阻器和比例电阻器电阻值的比值再乘以一个镜像因子成比例。也提供了差分输出。
申请公布号 CN102778304A 申请公布日期 2012.11.14
申请号 CN201210195699.2 申请日期 2012.06.14
申请人 香港应用科技研究院有限公司 发明人 王俊辉;潘良龄;陈锦鸿;邝国权
分类号 G01K7/01(2006.01)I 主分类号 G01K7/01(2006.01)I
代理机构 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人 江耀纯
主权项 一种温度传感器电路,包括:第一结,其在第一节点上产生第一电压,其对温度具有敏感性;比例电阻器,其连接在所述第一节点和第一感应节点之间;第一电流源,其根据一偏压输出第一电流到所述第一感应节点;第二结,其在第二节点上产生第二电压,其对温度具有敏感性;第二电流源,其根据所述偏压输出第二电流到所述第二节点;误差放大器,其比较所述第一感应节点和所述第二节点,以产生所述偏压;第三电流源,其根据所述偏压输出第三电流;第一电流沉,其吸入所述第三电流,以产生第二偏压,所述第二偏压调整所述第一电流沉以吸入所述第三电流;第二电流沉,其接收所述第二偏压,产生第二吸入电流,其从一个倍增节点吸入;倍增电阻器,其连接在所述倍增节点和一个输出之间;放大器,其以所述倍增节点为第一输入,以接收一个参考电压为第二输入,所述放大器根据所述参考电压和所述倍增节点上电压之间的差值,而驱动所述输出。
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