发明名称 硬质薄膜与基体间梯度过渡层的制备方法
摘要 本发明涉及一种硬质薄膜与基体间梯度过渡层的制备方法。本方法采用溅射与射频或微波化学气相沉积法相结合的方法制备梯度过渡层,使用的沉积设备包括一个或两个及以上的石墨靶和一个或两个及以上的金属靶;采用射频或直流溅射电源;金属靶材为铬、钛、铜、铝、锰、钨、钼、铁、硅、锌、镁、锡、镍、钴、铟、锗和镓中的一种纯金属或含有其中一种或者多种元素的合金;溅射气体为氩气或氦气;基体上通过样品台接有射频或微波电源,在进行溅射或反应溅射的同时,在基体上施加射频或微波功率。调节金属靶的溅射电源,使其电流和电压逐渐减小,或调节石墨靶的溅射或微波电源,使其功率逐渐加大,从而获得所需的梯度过渡层。本方法制备的梯度过渡层可增强膜基结合力与薄膜致密度,显著提高薄膜的承载能力。
申请公布号 CN102776481A 申请公布日期 2012.11.14
申请号 CN201210196793.X 申请日期 2012.06.15
申请人 上海大学 发明人 吴行阳;黄一鸣;华子恺;张建华
分类号 C23C14/34(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C16/505(2006.01)I;C23C16/515(2006.01)I 主分类号 C23C14/34(2006.01)I
代理机构 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人 何文欣
主权项 一种硬质薄膜与基体间梯度过渡层的制备方法,其特征在于采用溅射、反应溅射与射频或微波化学气相沉积法相结合的沉积方法制备梯度过渡层,使用的沉积设备至少包括一个或两个及以上的石墨靶和一个或两个及以上的金属靶,即至少包括一个金属靶(1)和一个石墨靶(3);采用射频或直流溅射电源(2、4);金属靶材为铬、钛、铜、铝、锰、钨、钼、铁、硅、锌、镁、锡、镍、钴、铟、锗和镓中的一种纯金属或含有其中多种元素的合金,采用两个或以上金属靶时,可采用相同或不同的靶材;溅射气体(5)为氩气或氦气;基体(7)上通过样品台(8)接有射频或微波电源(9),在进行溅射或反应溅射的同时,在基体(7)上施加射频或微波功率;在操作过程中,调节金属靶(1)的溅射电源(2),使其电流和电压逐渐减小,或调节石墨靶(3)的溅射电源(4),使其功率逐渐加大,从而获得所需的梯度过渡层。
地址 200444 上海市宝山区上大路99号