| 发明名称 | 一种降低接触孔蚀刻后簇状缺陷的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种降低接触孔蚀刻后簇状缺陷的方法，包括：在接触孔蚀刻后，使用氢氧化铵NH4OH与过氧化氢H2O2的混合物对基底进行清洗；沿与基底基本垂直的方向，利用原子化清洗的方法对基底再次进行清洗。其中步骤1中使用氢氧化铵NH4OH与过氧化氢H2O2的混合物进行清洗，氢氧化铵NH4OH产生的[OH-]离子蚀刻硅基底表面，使缺陷与基底表面产生轻微脱离。再利用硅基底表面和缺陷带不同的电荷，利用正负电荷排斥力将缺陷带走。随后用原子化清洗的方法再进行一次清洗。从而消除簇状缺陷。本发明能够通过氢氧化铵NH4OH+过氧化氢H2O2+原子化清洗清洗消除簇状缺陷，从而提高产品的良品率。 | ||
| 申请公布号 | CN101862736B | 申请公布日期 | 2012.11.14 |
| 申请号 | CN200910131045.1 | 申请日期 | 2009.04.20 |
| 申请人 | 和舰科技(苏州)有限公司 | 发明人 | 初曦;曾令旭 |
| 分类号 | B08B3/00(2006.01)I;B08B3/02(2006.01)I;B08B6/00(2006.01)I | 主分类号 | B08B3/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人 | 郑光 |
| 主权项 | 一种降低接触孔蚀刻后簇状缺陷的方法，包括：步骤1、在接触孔蚀刻后，使用氢氧化铵NH4OH与过氧化氢H2O2及水H2O的混合物对基底进行清洗；所述步骤1中的氢氧化铵NH4OH与过氧化氢H2O2及水H2O的混合物中，NH4OH∶H2O2∶H2O的比例为1∶4∶20，温度为40～80度；步骤2、沿与基底基本垂直的方向，利用原子化清洗的方法对基底再次进行清洗。 | ||
| 地址 | 215025 江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号 | ||