发明名称 数据读/写装置
摘要 根据本发明的实施例,一种数据读/写装置,它包括记录层和对记录层施加电压、在记录层中产生电阻变化并记录数据的装置。所述记录层由含有至少两种阳离子元素的复合化合物组成,其中至少一种所述阳离子元素是具有电子不完全填充的d轨道的过渡元素,且相邻阳离子元素间的最短距离在0.32nm或以下。
申请公布号 CN101552014B 申请公布日期 2012.11.14
申请号 CN200910138832.9 申请日期 2006.12.13
申请人 株式会社东芝 发明人 久保光一;平井隆大;青木伸也;罗宾·卡特;鎌田亲义
分类号 G11B9/00(2006.01)I;G11B9/04(2006.01)I 主分类号 G11B9/00(2006.01)I
代理机构 上海市华诚律师事务所 31210 代理人 徐申民
主权项 一种数据读/写装置,它包含:记录层;和用以对所述记录层施加电压、在所述记录层中产生电阻变化并记录数据的装置,其中,所述记录层的组成为:i.由AxMyXz表示的第一化合物,其中,A和M是阳离子元素,X是至少一种选自O,S,Se,N,Cl,Br和I的元素,且摩尔比x、y和z分别满足0.5≤x≤1.5,0.5≤y≤2.5和1.5≤z≤4.5;以及ii.含有至少一种过渡元素的第二化合物,其具有能够容纳所述第一化合物的阳离子元素的空穴位。
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