发明名称 |
数据读/写装置 |
摘要 |
根据本发明的实施例,一种数据读/写装置,它包括记录层和对记录层施加电压、在记录层中产生电阻变化并记录数据的装置。所述记录层由含有至少两种阳离子元素的复合化合物组成,其中至少一种所述阳离子元素是具有电子不完全填充的d轨道的过渡元素,且相邻阳离子元素间的最短距离在0.32nm或以下。 |
申请公布号 |
CN101552014B |
申请公布日期 |
2012.11.14 |
申请号 |
CN200910138832.9 |
申请日期 |
2006.12.13 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
久保光一;平井隆大;青木伸也;罗宾·卡特;鎌田亲义 |
分类号 |
G11B9/00(2006.01)I;G11B9/04(2006.01)I |
主分类号 |
G11B9/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海市华诚律师事务所 31210 |
代理人 |
徐申民 |
主权项 |
一种数据读/写装置,它包含:记录层;和用以对所述记录层施加电压、在所述记录层中产生电阻变化并记录数据的装置,其中,所述记录层的组成为:i.由AxMyXz表示的第一化合物,其中,A和M是阳离子元素,X是至少一种选自O,S,Se,N,Cl,Br和I的元素,且摩尔比x、y和z分别满足0.5≤x≤1.5,0.5≤y≤2.5和1.5≤z≤4.5;以及ii.含有至少一种过渡元素的第二化合物,其具有能够容纳所述第一化合物的阳离子元素的空穴位。 |
地址 |
日本东京都港区芝浦一丁目1番1号 |