发明名称 |
一种防止边缘漏电的聚光太阳电池芯片制作方法 |
摘要 |
一种防止边缘漏电的聚光太阳电池芯片制作方法,采用精确半刀切割方法,采用刀口具有倾斜侧面的半刀切割刀片沿电池芯片的切割道开槽,所开槽侧壁同样具有一定倾斜角度;对开槽侧壁进行化学抛光;在电池芯片表面覆盖充当减反射膜的透明绝缘材料,将电池芯片表面钝化防止漏电;用刀口宽度小于半刀切割刀片宽度的常规刀片将芯片划裂,形成单个太阳电池芯片。采用刀口具有倾斜角度的切割刀片对芯片先进行半刀切割,使切割道侧壁具有同样的倾斜角度,可避免芯片在划裂时受损,同时有利于在其上制备高质量及高反射性能的钝化膜;芯片划裂使用的刀片宽度小于半刀切割用刀片,防止划裂时钝化膜被破坏;以得到优良的太阳电池芯片钝化边缘,防止边缘漏电。 |
申请公布号 |
CN101969086B |
申请公布日期 |
2012.11.14 |
申请号 |
CN201010244598.0 |
申请日期 |
2010.07.29 |
申请人 |
厦门市三安光电科技有限公司 |
发明人 |
吴志敏;梁兆煊;林桂江;熊伟平;许文 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
厦门原创专利事务所 35101 |
代理人 |
徐东峰 |
主权项 |
一种防止边缘漏电的聚光太阳电池芯片制作方法,其工艺步骤为:采用精确半刀切割方法,采用刀口具有倾斜侧面的半刀切割刀片沿电池芯片的切割道开槽,所开槽侧壁同样具有一定倾斜角度;所述半刀切割刀片的刀口倾斜侧面的倾斜角度为10°~80°对开槽侧壁进行化学抛光;在电池芯片表面覆盖充当减反射膜的透明绝缘材料,将电池芯片表面钝化防止漏电;用刀口宽度小于半刀切割刀片宽度的常规刀片将芯片划裂,形成单个太阳电池芯片。 |
地址 |
361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号 |