| 发明名称 | 非水电解液二次电池用负极活性物质 | ||
| 摘要 | 一种非水电解液二次电池用负极活性物质，其含有硅固溶体，所述硅固溶体是在硅中固溶有一种或二种以上的3族的半金属元素或金属元素、4族（其中除硅以外）的半金属元素或金属元素、或者5族的非金属元素或半金属元素的硅固溶体，对于所述固溶体，相对于归属于硅的（422）面的XRD的衍射峰的位置，与该峰对应的所述固溶体的XRD的衍射峰的位置向低角度侧或高角度侧偏移0.1～1度的范围。并且由XRD测定的所述固溶体的晶格畸变为0.01～1%。 | ||
| 申请公布号 | CN102782907A | 申请公布日期 | 2012.11.14 |
| 申请号 | CN201180010634.X | 申请日期 | 2011.03.08 |
| 申请人 | 三井金属矿业株式会社 | 发明人 | 井手仁彦;井上大辅;Y·M·托多罗夫;柴村夏实;田平泰规 |
| 分类号 | H01M4/38(2006.01)I;H01M4/36(2006.01)I;H01M10/0566(2006.01)I | 主分类号 | H01M4/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 张楠 |
| 主权项 | 一种非水电解液二次电池用负极活性物质，其特征在于，其含有硅固溶体，所述硅固溶体是在硅中固溶有一种或二种以上的3族的半金属元素或金属元素、除了硅以外的4族的半金属元素或金属元素、或者5族的非金属元素或半金属元素的硅固溶体，对于所述固溶体，相对于归属于硅的（422）面的XRD的衍射峰的位置，与该峰对应的所述固溶体的XRD的衍射峰的位置向低角度侧或高角度侧偏移0.1~1度的范围，并且由XRD测定的所述固溶体的晶格畸变为0.01~1%。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||