发明名称 |
超结功率器件的形成方法 |
摘要 |
一种超结功率器件的形成方法,包括:形成位于第二外延层表面的第一掩膜层,器件区的第一掩膜层具有第一开口,切割道区的第一掩膜层具有第三开口;以第一开口为窗口,刻蚀部分厚度的第二外延层形成沟槽,同时以所述第三开口为窗口,刻蚀部分厚度的第二外延层,形成第二标识;去除第一掩膜层,然后以第二标识为参考基准,形成位于第二外延层表面的第二掩膜层,第二掩膜层具有定义出第二掺杂层的第二开口;以第二掩膜层为掩膜,向第二外延层内掺杂离子形成第二掺杂层。形成的超结功率器件更稳定,漏源击穿电压更稳定。 |
申请公布号 |
CN102779757A |
申请公布日期 |
2012.11.14 |
申请号 |
CN201210256668.3 |
申请日期 |
2012.07.23 |
申请人 |
上海宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
贾璐;楼颖颖 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种超结功率器件的形成方法,其特征在于,包括:提供包括器件区和与之相邻的切割道区的半导体衬底,所述半导体衬底表面形成有第一外延层,所述器件区的第一外延层内形成有第一掺杂层,且所述切割道区的第一外延层表面形成有初始标识,所述第一外延层表面形成有第二外延层;以所述初始标识为参考基准,形成位于所述第二外延层表面的第一掩膜层,且所述器件区的第一掩膜层具有第一开口,所述切割道区的第一掩膜层具有第三开口;沿所述第一开口刻蚀部分厚度的第二外延层,形成沟槽,同时沿所述第三开口刻蚀部分厚度的第二外延层,形成第二标识;待形成沟槽和第二标识后,去除所述第一掩膜层,以所述第二标识为参考基准,形成位于所述第二外延层表面的第二掩膜层,所述第二掩膜层具有定义出第二掺杂层的第二开口;以所述第二掩膜层为掩膜,向所述第二外延层内掺杂离子形成第二掺杂层。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 |