用于薄晶片的可移动静电载具

摘要

本发明在一个实施例中提供了一种载具，该载具包括具有由前侧沟槽划分的隔离的正电极区域和隔离的负电极区域的顶部半导体层，该前侧沟槽贯穿顶部半导体层至少至位于顶部半导体层和底部半导体层之间的基底绝缘层。一介质层覆盖载具的顶部的暴露表面。贯穿底部半导体层至少至绝缘层的背侧沟槽形成与前侧正电极区域和负电极区域对应的隔离的背侧区域。位于底部半导体层上且耦接至正电极区域和负电极区域的背侧触点允许了前侧电极区域的充电。

主权项

一种用于薄晶片处理的双极可移动静电载具，包括：顶部晶体半导体层，具有隔离的正电极区域和隔离的负电极区域；前侧沟槽，贯穿所述顶部晶体半导体层至少至基底的绝缘层，所述前侧沟槽将所述负电极区域和所述正电极区域分隔；所述绝缘层放置在所述顶部晶体半导体层和底部晶体半导体层之间；介质层，覆盖所述顶部晶体半导体层的暴露的表面区以及被所述前侧沟槽暴露的所述绝缘层的表面区；所述底部晶体半导体层具有贯穿所述底部晶体半导体层至少至所述绝缘层的背侧沟槽，所述背侧沟槽在所述底部晶体半导体层的底表面上形成与所述顶部晶体半导体层上的所述负电极区域和所述正电极区域对准的隔离的背侧区域；以及背侧触点，位于所述隔离的背侧区域上，所述背侧触点耦接至所述正电极区域和所述负电极区域，所述背侧触点用于为所述正电极区域和所述负电极区域充电。