| 发明名称 | 功率半导体器件背面制造工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种功率半导体器件背面制造工艺，为解决现有工艺中杂质激活率低等问题而设计。本发明功率半导体器件背面制造工艺至少包括下述步骤：将正面结构加工完毕的硅片减薄；在硅片背面进行晶格预损伤处理；离子注入掺杂；在550℃以下进行杂质推进处理；用激光退火完成晶格修复处理。晶格预损伤处理的方法为：在硅片的背面进行离子注入，注入浓度在1015至1016之间。用于晶格预损伤处理的离子注入的离子为硅离子、锗离子或氢离子。本发明功率半导体器件背面制造工艺利用离子注入损伤产生的增强扩散效应，通过离子注入晶格预损伤处理、低温推进和激光退火的结合，达到离子注入杂质的有效推进和激活，适用于多种功率器件的生产制造。 | ||
| 申请公布号 | CN102779739A | 申请公布日期 | 2012.11.14 |
| 申请号 | CN201210242463.X | 申请日期 | 2012.07.12 |
| 申请人 | 清华大学;上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 张伟;严利人;刘志弘;许平;周伟;全冯溪 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中伟智信专利商标代理事务所 11325 | 代理人 | 张岱 |
| 主权项 | 一种功率半导体器件背面制造工艺，其特征在于，所述工艺至少包括下述步骤：1.1将正面结构加工完毕的硅片减薄；1.2在硅片背面进行晶格预损伤处理；1.3离子注入掺杂；1.4在550℃以下进行杂质推进处理；1.5用激光退火完成晶格修复处理。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区清华园1号 | ||