发明名称 |
双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管及制作方法 |
摘要 |
双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管及制作方法。目前国内外研究的ZnO薄膜晶体管主要采用顶栅与底栅场效应结构。一种双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管,其组成包括:底衬板(1),所述的底衬板上面连接源极Ag薄膜层(2),所述的源极Ag薄膜层上面连接导电沟道ZnO薄膜层(3),所述的导电沟道ZnO薄膜层上面连接栅极半绝缘Al薄膜层(4),所述的栅极半绝缘Al薄膜层上面连接所述的导电沟道ZnO薄膜层,所述的导电沟道ZnO薄膜上层上面连接所述的漏极Ag薄膜层(5)。本发明用于有源矩阵有机发光显示器的驱动单元、高密度集成电路以及其他电子电路等领域中。 |
申请公布号 |
CN102779855A |
申请公布日期 |
2012.11.14 |
申请号 |
CN201210232866.6 |
申请日期 |
2012.07.06 |
申请人 |
哈尔滨理工大学 |
发明人 |
王玥;王东兴;王长昊;梅金硕;田晓华;刘倩;贺训军 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
哈尔滨东方专利事务所 23118 |
代理人 |
陈晓光 |
主权项 |
一种双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管,其组成包括:底衬板,其特征是:所述的底衬板上面连接源极Ag薄膜层,所述的源极Ag薄膜层上面连接导电沟道ZnO薄膜层,所述的导电沟道ZnO薄膜层上面连接栅极半绝缘Al薄膜层,所述的栅极半绝缘Al薄膜层上面连接所述的导电沟道ZnO薄膜层,所述的导电沟道ZnO薄膜上层上面连接所述的漏极Ag薄膜层。 |
地址 |
150040 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号124信箱 |