一种可调整式电容器

摘要

本发明提供一种对于微电路的LC或RC相配网路需要使用可调整式电容器，其系藉由形成一组个别的电容器而而获致此目的，该电容器系共用一共用的下电极，那些电容器的上电极区，系互相选择一积分比，以致于它们可以产生任何在单元值范围的电容。例如，若提供那些区比为5∶2∶1∶1的四个电容器时，依上电极如何连接则会产生任何从范围1到9的电容。此类的连接可为在最后线路层中的硬线路，以提供一工厂可调整式电容器、或它们可连接穿过场可程式化元件，以产生一个场可程式化电容器。

主权项

一种形成一可调整式电容器之制程，包括有：提供一矽晶片，其具有一最上层于其上，其为接触垫连接到在该晶片中的一电路；沈积一基部介电层于该最上层上，其包括有该接触垫；沈积一蚀刻阻绝层于该基部介电层上；沈积一支撑介电层于该蚀刻阻绝层上；蚀刻一贯穿孔穿过该支撑介电层、该蚀刻阻绝层及该基部介电层上，藉以暴露出该接触垫；沈积一阻障层于该贯穿孔中，然后将钨过度填充该贯穿孔，且然后平坦化，以便于移除所有不在该贯穿孔内的钨；蚀刻三沟槽，其系延伸穿过该支撑介电层直到该蚀刻阻绝层；沈积一第一层金属于该支撑介电层上，其系包括有在该沟槽内，且然后图案化该第一层金属，以形成一共用的电容器电极，其系接触该填充钨的贯穿孔；沈积一层高介电常数材料于该共用的电容器电极上，且然后图案化该高介电常数层，藉以此完全地覆封该共用的电容器电极；沈积一第二层金属于该高介电常数层，且然后图案化该第二层金属，以形成四未连接的上电极，那些系被该电极所叠封，该电极(互相相对)区域的比为5∶2∶1∶1；沈积一上介电层于该上电极及该高介电常数层上；蚀刻四贯穿孔穿过该上介电层，藉以暴露出每个该上电极的一接触区；沈积一阻障层于该贯穿孔中，然后以钨过度填充该贯穿孔，然后平坦化，以便于移除所有未在该贯穿孔内的的钨；及然后沈积及图案化一第三金属层，以便于在该上电极间提供固定的连接，藉以对该可调整式电容器产生一个特定的电容值。