用累积电荷吸收器改进MOSFET的线性的方法和设备

摘要

公开了一种用于改进使用累积电荷吸收器(ACS)的MOSFET器件的线性特性的方法和设备。该方法和设备用于移除、减少或控制SOIMOSFET中的累积电荷，从而产生FET性能特性的提高。在一个示例性实施例中，具有至少一个SOI MOSFET的电路被配置成以累积电荷模式操作。当以累积电荷模式操作FET时，实际连接到SOI MOSFET的体的累积电荷宿消除、移除或控制累积电荷，从而减少SOI MOSFET的寄生关断源漏电容的非线性。在使用改进的SOI MOSFET器件实现的RF开关电路中，当SOI MOSFET以累积电荷模式操作时，通过移除或控制累积电荷来减少谐波和互调失真。

主权项

一种累积电荷控制(ACC)浮体MOSFET(ACC MOSFET)，用于在以累积电荷模式操作MOSFET时控制MOSFET的非线性响应，包括：a)具有浮体的MOSFET，其中浮体MOSFET被偏置为有选择地以累积电荷模式操作，并且其中当MOSFET以累积电荷模式操作时，累积电荷出现在浮体MOSFET的体中；和b)累积电荷吸收器ACS，工作时连接到MOSFET的体，其中ACS控制MOSFET体中的累积电荷。