| 发明名称 | 半导体摄像器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体摄像器件及其制造方法。在像素区域配置多个光电转换元件。电路区域配置在像素区域的周边。铜布线配置在像素区域和电路区域。盖层配置在铜布线上，像素区域和电路区域的铜布线上以外的盖层被去除。 | ||
| 申请公布号 | CN101901820B | 申请公布日期 | 2012.11.14 |
| 申请号 | CN201010133005.3 | 申请日期 | 2010.03.10 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 小池英敏 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈萍 |
| 主权项 | 一种半导体摄像器件，其特征在于，包括：像素区域，配置了多个光电转换元件；电路区域，配置在上述像素区域的周边，且包括伪像素区域、黑标准区域和逻辑电路区域；铜布线，配置在上述像素区域和上述电路区域；及盖层；配置在上述铜布线上；在上述像素区域配置的上述铜布线上以外和上述电路区域的上述铜布线上以外的上述盖层被去除。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||