发明名称 金属栅极形成方法
摘要 本发明公开了一种金属栅极形成方法,在形成金属硅化物层之后形成CESL应力层和层间介质层,并平坦化所述层间介质层直至暴露无定形碳栅极顶面的CESL应力层,随后去除所述无定形碳栅极顶面的CESL应力层,如此,将应力记忆技术应用到金属栅极的制造过程中,记忆在栅极结构中的应力仍然会传导到沟道之中,有利于提高载流子迁移率。
申请公布号 CN102779746A 申请公布日期 2012.11.14
申请号 CN201210293124.4 申请日期 2012.08.16
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 郑春生
分类号 H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I 主分类号 H01L21/28(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 陆花
主权项 一种金属栅极形成方法,包括:提供一衬底,所述衬底上形成有无定形碳栅极以及围绕所述无定形碳栅极的侧墙,所述衬底中形成有源极和漏极;在所述源极和漏极上形成金属硅化物层;在所述衬底上形成CESL应力层并执行退火工艺;在所述CESL应力层上形成层间介质层;平坦化所述层间介质层直至暴露所述无定形碳栅极顶面的CESL应力层;去除所述无定形碳栅极顶面的CESL应力层;去除所述无定形碳栅极,在所述层间介质层内形成沟槽;以及形成填充所述沟槽且覆盖所述层间介质层的金属层。
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