铒钕掺杂纳米氮化硅陶瓷材料的制备方法

摘要

本发明涉及一种陶瓷材料技术领域，具体是一种氧化铒氧化钕作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅(Si3N4)陶瓷的方法。其组分及质量百分比含量为：氧化铒3％～7％，氧化钕5％～8％，氮化硅85％～92％。目的在于克服现有技术的不足，提供一种氧化铒氧化钕作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅陶瓷的方法，可广泛用于化工、机械、冶金、航空航天等领域的零部件制备。

主权项

铒钕掺杂纳米氮化硅陶瓷材料的制备方法所涉及的氧化铒氧化钕作为添加剂无压烧结生产的氮化硅陶瓷，组分及质量百分比含量为：氧化铒3％～7％，氧化钕5％～8％，氮化硅85％～92％。所述的氧化铒粒度3～6微米，氧化钕粒度5～7微米，氮化硅粒度0.4～0.7微米。