半导体器件制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件制造方法，在进行离子注入工艺之前形成保护层，所述保护层覆盖所述第一区域、第二区域、第一无定形碳栅极、第二无定形碳栅极、第一侧墙和第二侧墙，由于所述保护层的存在，氧气灰化工艺中的等离子体不会损伤所述第一无定形碳栅极和第二无定形碳栅极，确保最终形成的金属栅极的质量。

主权项

一种半导体器件制造方法，包括：提供一包括第一区域和第二区域的衬底，所述第一区域上形成有第一无定形碳栅极以及围绕所述第一无定形碳栅极的第一侧墙，所述第二区域上形成有第二无定形碳栅极以及围绕所述第二无定形碳栅极的第二侧墙；形成保护层，所述保护层覆盖所述第一区域、第二区域、第一无定形碳栅极、第二无定形碳栅极、第一侧墙和第二侧墙；形成第一源/漏光阻层，所述第一源/漏光阻层覆盖第二区域上的保护层；进行离子注入工艺，在第一无定形碳栅极两侧的半导体衬底中形成源/漏极；采用氧气灰化工艺去除所述第一源/漏光阻层；形成第二源/漏光阻层，所述第二源/漏光阻层覆盖第一区域上的保护层；进行离子注入工艺，在第二无定形碳栅极两侧的半导体衬底中形成源/漏极；采用氧气灰化工艺去除所述第二源/漏光阻层。