一种金属氧化物的显示装置及其制造方法

摘要

本发明提出一种金属氧化物的显示装置及其制造方法，该装置是包括在基板上依次形成信号线、扫描线、共通电极、电流供给线、绝缘层、接触孔、有机发光层、ITO（透明电极）层、金属氧化物沟道层、保护层，其中金属氧化物沟道层位于TFT的沟道处以及沟道与ITO源漏电极桥接处，同时ITO源漏电极作为顶发光OLED（有机发光二极管）的阳极使用，共通电极金属层作为阴极使用，信号线、扫描线、共通电极、电流供给线由同层金属形成。本发明还公开了一种制造金属氧化物有机发光二极管装置的方法，解决现有技术底发光开口率不足以及顶发光共通电极导电性差的问题。

主权项

一种金属氧化物的显示装置，其特征在于包括：信号线；电流供应线，与所述信号线平行；栅线与所述信号线交叉；第二TFT栅极连接线；共通电极，位于信号线和电流供应线之间，并在所述共通电极上设有有机发光层；第一TFT，包括：与栅线连接的第一TFT栅极、位于第一TFT栅极上的绝缘层、与信号线连接的第一TFT源电极、以及与第二TFT栅极连接线连接的第一TFT漏极、位于绝缘层上的第一金属氧化物沟道层，所述第一金属氧化物沟道层两端分别与第一TFT源电极与第一TFT漏极电性连接；所述第二TFT，包括：与第二TFT栅极连接线连接的第二TFT栅极、位于第二TFT栅极上的绝缘层、与所述有机发光层连接的第二TFT漏极、与电流供应线连接的第二TFT源极、位于绝缘层上的第二金属氧化物沟道层，所述第二金属氧化物沟道层两端分别与第二TFT源电极与第二TFT漏极电性连接；其中，所述绝缘层是铺设在整个信号线、栅线、共通电极、第二TFT栅极连接线、电流供应线上的，且第一金属氧化物沟道层位于所述第一栅极的上方，所述第二金属氧化物沟道层位于所述第二栅极的上方。