自定时写跟踪型静态随机存储器

摘要

本发明涉及一种自定时写跟踪型静态随机存储器，设有模拟总字线驱动器、模拟写入驱动器、总字线驱动阵列，模拟总字线驱动器的输出端通过模拟总字线采用U型结构将信号输送至模拟写入驱动器，模拟写入驱动器的输出接至位线跟踪列，位线跟踪列通过可编程加速写电路和写跟踪复位电路与总控制电路连接。本发明设计了一种无额外返回通路的自定时写跟踪静态随机存储器，其使用了多个存储器跟踪单元来提高整体自定时写跟踪时序抵抗工艺偏差所引起的变化，且在字线和位线方向上所集成的模拟负载可以更好地实现写控制信号的跟踪，另外模拟写入驱动器和加速写跟踪电路所具有的可调节能力提高了设计与测试的灵活性。此发明亦可应用于静态随机存储器编译器中。

主权项

一种自定时写跟踪型静态随机存储器，其特征是：所述自定时写跟踪型静态随机存储器设有模拟总字线驱动器、模拟写入驱动器、总字线驱动阵列，所述模拟总字线驱动器和模拟写入驱动器设置于总字线驱动阵列的上部；所述模拟总字线驱动器的输出端通过信号会在中间返回并连接到写跟踪子字线驱动器而形成U型结构的模拟总字线，将信号输送至模拟写入驱动器；所述模拟写入驱动器的输出接至位线跟踪列，所述位线跟踪列通过可编程加速写电路和写跟踪复位电路与总控制电路连接；所述位线跟踪列内含有多个模拟位线负载单元和写跟踪SRAM单元，所述写跟踪SRAM单元位于模拟位线负载单元下方，所述写跟踪SRAM单元与模拟位线负载单元之间通过写跟踪位线连接；所述写跟踪SRAM单元由标准6管SRAM单元修改而成，并将标准6管SRAM单元的字线置于高电平，写跟踪互补位线与其对应的内部存储节点N1相连；所述模拟写入驱动器由PMOS管NMOS管组成，具体为，一个PMOS管的源极与电源相连、其漏极与一个NMOS管的漏极连接并与写跟踪位线相连，此PMOS管的栅极与该NMOS管的栅极被共同连接至模拟字线，且该NMOS管的源极与多个具有不同沟道尺寸的NMOS管的漏极相连，所述多个具有不同沟道尺寸的NMOS管的源极被共同连接至地、其中一个NMOS管的栅极接至电源而其他几个NMOS管的栅极则分别与不同的外部控制信号相连。