| 发明名称 | 基于量子点和量子阱材料混合结构的超辐射发光管 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种半导体器件，特别是一种基于量子点和量子阱材料混合结构的超辐射发光管，包括依次设置的下电极、衬底、下分离限制层、下波导层、有源层、上波导层、上分离限制层、盖层、介质膜层、上电极构成，其特征在于：所述有源层为量子点和量子阱材料混合结构。该超辐射发光管光谱宽，输出功率高。 | ||
| 申请公布号 | CN202534677U | 申请公布日期 | 2012.11.14 |
| 申请号 | CN201220155645.9 | 申请日期 | 2012.04.13 |
| 申请人 | 苏辉 | 发明人 | 苏辉 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人 | 蔡学俊 |
| 主权项 | 一种基于量子点和量子阱材料混合结构的超辐射发光管，包括依次设置的下电极、衬底、下分离限制层、下波导层、有源层、上波导层、上分离限制层、盖层、介质膜层、上电极构成，其特征在于：所述有源层为量子点和量子阱材料混合结构。 | ||
| 地址 | 350002 福建省福州市鼓楼区杨桥西路155号20座603单元 | ||