| 发明名称 | 基于异质集成和垂直光耦合的硅基InGaAs PIN光电探测器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于异质集成和垂直光耦合的硅基InGaAsPIN光电探测器，包括：SOI衬底；制作于SOI衬底顶层硅中的垂直耦合光栅；覆盖于垂直耦合光栅上的BCB键合层；位于BCB键合层之上的抗反射层；位于抗反射层之上的第一导电型磷化铟层；位于第一导电型磷化铟层之上的本征铟镓砷层；以及位于本征铟镓砷层之上的第二导电型磷化铟层；其中，垂直耦合光栅通过刻蚀SOI衬底的顶层硅制成，刻蚀深度为70-110nm；光栅周期为600-680nm；抗反射层的折射率介于BCB键合层与第一导电型磷化铟层之间。本发明的硅基InGaAsPIN光电探测器采用粘合性键合工艺将InP/InGaAs/InP叠堆材料层粘合于刻蚀在SOI衬底上的光栅上，使光与InP/InGaAs/InP层实现垂直耦合，为硅基InGaAs光电探测器的具体应用提供合适的设计及优化方案。 | ||
| 申请公布号 | CN102779892A | 申请公布日期 | 2012.11.14 |
| 申请号 | CN201110120147.0 | 申请日期 | 2011.05.10 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 盛振;仇超;甘甫烷;武爱民;杜骏杰;陈静;王曦;邹世昌 |
| 分类号 | H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0232(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;G02B6/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/105(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种基于异质集成和垂直光耦合的硅基InGaAs PIN光电探测器，其特征在于，包括：SOI衬底，所述SOI衬底包括底层衬底、位于底层衬底之上的埋氧层以及位于埋氧层之上的顶层硅；制作于所述SOI衬底顶层硅中的垂直耦合光栅；覆盖于所述垂直耦合光栅上的BCB键合层；位于所述BCB键合层之上的抗反射层；位于所述抗反射层之上的第一导电型磷化铟层；位于所述第一导电型磷化铟层之上的本征铟镓砷层；以及位于所述本征铟镓砷层之上的第二导电型磷化铟层；其中，所述垂直耦合光栅通过刻蚀所述SOI衬底的顶层硅制成，其刻蚀深度为70‑110nm；光栅周期为600‑680nm；所述抗反射层的折射率介于BCB键合层与第一导电型磷化铟层的折射率之间。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||