发明名称 基板镶接式多晶片封装制程与构造
摘要 本发明涉及一种基板镶接式多晶片封装制程与构造,所述板镶接式多晶片封装制程与构造包含:一第一基板与一第二基板,第一基板的一侧边具有一第一镶嵌部,第二基板的一侧边具有一第二镶嵌部,并且第一基板的尺寸大于第二基板的尺寸;至少一记忆体晶片,其设置于第一基板上;一控制器晶片,其设置于第二基板上,其中,所述第一基板与第二基板以卡接第一镶嵌部与第二镶嵌部的方式结合;一封胶体,其形成于第一基板与第二基板上。本发明能针对不同功能晶片个别作最佳化封装制程参数与最适用材料的调整与变化并整合成同一封装构造。
申请公布号 CN102779760A 申请公布日期 2012.11.14
申请号 CN201110123653.5 申请日期 2011.05.13
申请人 力成科技股份有限公司 发明人 麻海航
分类号 H01L21/50(2006.01)I;H01L21/58(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I 主分类号 H01L21/50(2006.01)I
代理机构 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人 张瑾
主权项 一种基板镶接式多晶片封装制程,其特征在于,所述基板镶接式多晶片封装制程包含:提供一第一基板与一第二基板,第一基板的一侧边具有一第一镶嵌部,第二基板的一侧边具有一第二镶嵌部,并且第一基板的尺寸大于第二基板的尺寸;设置至少一记忆体晶片于第一基板上;设置一控制器晶片于第二基板上;当记忆体晶片与控制器晶片分别设置于第一基板与第二基板之后,以卡接第一镶嵌部与第二镶嵌部的方式结合第一基板与第二基板;以及形成一封胶体于第一基板与第二基板上。
地址 中国台湾新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号