发明名称 | 半导体存储器件及其高压测试方法 | ||
摘要 | 本发明涉及半导体存储器件,包括用于产生高压并将产生的高压施加到存储单元的高压发生器,用于将高压发生器的输出电压转换为数字信号的转换器,和用于将转换器的输出或存储单元的输出选择性地通过I/O端子输出的模式选择单元。 | ||
申请公布号 | CN101154469B | 申请公布日期 | 2012.11.14 |
申请号 | CN200610156456.2 | 申请日期 | 2006.12.31 |
申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 元嘇规 |
分类号 | G11C29/50(2006.01)I | 主分类号 | G11C29/50(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
主权项 | 一种半导体存储器件,包括:响应于泵使能信号而产生第一高压的高压发生器;根据外部时钟接收所述第一高压而产生一般的高压的第一高压开关;响应于地址将所述一般的高压传送到存储单元的解码器;将所述第一高压转换为数字信号的转换器;和模式选择单元,其响应于模式选择信号通过I/O端子选择性地输出所述转换器的输出信号或所述存储单元的输出信号。 | ||
地址 | 韩国京畿道利川市 |