发明名称 |
半导体装置以及半导体装置的制造方法 |
摘要 |
本发明的目的之一在于减少起因于外部压力的半导体集成电路的破损。此外,本发明还有一个目的是提高薄型化半导体集成电路的制造成品率。其方法如下:使用从单晶半导体衬底分离的单晶半导体层作为半导体集成电路所具有的半导体元件,然后以树脂层覆盖设置有半导体集成电路的被较薄地形成的衬底,在切断工序中在支撑衬底上形成用来切断半导体元件层的槽并在形成有槽的支撑衬底上设置树脂层,然后将树脂层以及支撑衬底在槽部进行切断以将其切割成多个半导体集成电路。 |
申请公布号 |
CN101471349B |
申请公布日期 |
2012.11.14 |
申请号 |
CN200810189727.3 |
申请日期 |
2008.12.26 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平;高桥秀和;山田大干;门马洋平;安达广树 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
李玲 |
主权项 |
一种制造多个半导体集成电路的方法,包括如下步骤:对单晶半导体衬底添加离子以在距所述单晶半导体衬底的一个面的一定的深度处形成脆化层;提供支撑衬底;在所述单晶半导体衬底的一个面或者所述支撑衬底上形成绝缘层;在所述单晶半导体衬底与所述支撑衬底以夹着所述绝缘层的方式彼此重合的状态下,进行使所述脆化层中产生裂缝并使所述单晶半导体衬底沿着所述脆化层分离的热处理,以从所述单晶半导体衬底将单晶半导体层形成在所述支撑衬底上;形成多个含有所述支撑衬底上的所述单晶半导体层的半导体元件层;减薄所述支撑衬底的厚度;在所述支撑衬底中在所述多个半导体元件层之间形成槽;在形成有所述槽的所述支撑衬底上形成树脂层;以及在所述槽中对所述支撑衬底以及所述树脂层进行切断。 |
地址 |
日本神奈川县 |