一种锰钴镍氧线列探测器的微台面制作方法

摘要

本发明公开了一种锰钴镍氧线列探测器的微台面制作方法。其采用湿法腐蚀与干法刻蚀相结合的方法，完成了6-10微米厚的锰钴镍氧薄膜材料的刻蚀，得到了图形转移精度较高、台面平整度好、侧蚀比小的线列探测元微台面。为锰钴镍线列及阵列探测器的发展打下了良好的基础。

主权项

一种锰钴镍氧线列探测器的微台面制作方法，其特征在于具体步骤如下：步骤A：取一片在白宝石片上利用化学溶液法制作的，膜厚在6‑10微米之间的锰钴镍氧薄膜样品片，进行常规方法清洗、干燥、掩膜光刻；步骤B：在33℃‑36℃的水浴条件下、使用质量分数38%‑42%的氢溴酸对薄膜样品进行5.5‑6.5分钟的湿法刻蚀、清洗、干燥；步骤C：干法刻蚀30‑60分钟，去胶、清洗、干燥；步骤D：根据化学溶液法所涉及到的样片的层数估计总膜厚，依据锰钴镍氧薄膜的厚度，重复步骤A、B、C中的各步，直至得到所需探测元台面。