一种集成了采样电阻的电流检测LDMOS器件

摘要

一种集成了采样电阻的电流检测LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。包括集成于同一半导体芯片的主功率LDMOS器件（100）、电流检测LDMOS器件（101）和采样电阻（102）。通过控制主功率LDMOS器件和电流检测LDMOS器件的沟道区宽度之比实现电流采样；主功率LDMOS器件和电流检测LDMOS器件共用漏极结构以节省芯片面积；短接主功率LDMOS器件和电流检测LDMOS器件各自的P+接触区和N+接触区，并且将电流检测LDMOS器件的P型体区做在一个N阱中、使得电流检测LDOMS器件的P型体区与衬底完全隔离，实现了电流检测LDMOS器件的源极电压浮动且消除了衬底去偏置效应；另外将采样电阻同时集成可避免外接采样电阻带来的噪声影响，使得电流检测LDMOS器件对主功率LDMOS器件电流进行准确采样。

主权项

一种集成了采样电阻的电流检测LDMOS器件，包括主功率LDMOS器件（100）、电流检测LDMOS器件（101）和采样电阻（102），所述主功率LDMOS器件（100）、电流检测LDMOS器件（101）和采样电阻（102）集成于同一半导体芯片上；所述电流检测LDMOS器件（101）的沟道区宽度为W2，所述主功率LDMOS器件（100）的沟道区宽度为W1，其中W1＞＞W2，电流检测LDMOS器件（101）的电流能力与主功率LDMOS器件（100）的电流能力之比为W2/W1；所述主功率LDMOS器件（100）和电流检测LDMOS器件（101）采用共同的漏极结构，即采用同一N+漏极区（4）和金属化漏极（11）；所述电流检测LDMOS器件（101）的P型体区（12）做在一个N型阱区（3）中，使得电流检测LDMOS器件（101）的P型体区（12）与半导体衬底（1）相互隔离，以实现电流检测LDMOS器件（101）的源极电压浮动；所述主功率LDMOS器件（100）和电流检测LDMOS器件（101）各自的源极P+接触区（5）和源极N+接触区（6）与各自的源极金属（10、13）连接，以消除衬偏效应；所述采样电阻（102）的一端与主功率LDMOS器件的源极金属（10）相连，另一端与电流检测LDMOS器件（101）的源极金属（13）相连。