一种用于将该双闸极与双多晶矽电容器制程整合

摘要

本发明提供一种用于将该双闸极与双多晶矽电容器制程整合，以制造一类比电容器积体电路装置的方法系被说明。设置一个隔离区，以将半导体基板中的一第一主动区与一第二主动区隔离。一个第一闸极氧化物层被形成于二个主动区中的半导体基板上。一个第一多晶矽层被沈积于该第一闸极氧化物层与隔离层上。包含一个氧化物层与一个氮化物层的一电容器介电质层被沈积于该第一多晶矽层上。未为遮罩所覆盖的该电容器介电质层与第一多晶矽层被蚀刻移除，而形成一个第一多晶矽闸极电极于该第一区中，以及在隔离区上方形成一多晶矽下电容板与位于下电容板上的电容器介电质。在第二区中的该第一闸极氧化物被移除，以及一个较薄的第二闸极氧化物层被形成于该第二区中。一个第二多晶矽层被沈积于该第二闸极氧化物层、下电容板与电容器介电质以及该第一多晶矽闸电极上方。未为遮罩所覆盖的该第二多晶矽层被蚀刻移除，而形成一个第二多晶矽闸极电极于该第二区中，以及形成一个上电容板在该下电容板上方，其中该电容器介电质位于该上、下电容板之间。

主权项

种用于制造一类比电容器积体电路装置的方法，包含有：设置一个隔离区，以将半导体基板中的一第一主动区与一第二主动区隔离；形成一个第一闸极氧化物层于该第一与第二主动区中的该半导体基板上；沈积一个第一多晶矽层于该第一闸极氧化物层与该隔离层上；沈积一个氧化物层于该第一多晶矽层上。