发明名称 |
半导体薄膜的形成方法以及电子设备的制造方法 |
摘要 |
本发明公开了半导体薄膜的形成方法以及电子设备的制造方法,其中,形成半导体薄膜的方法包括以下步骤:(a)在基板上涂敷无机半导体微粒分散溶液并对涂层进行干燥以形成半导体微粒层,以及(b)将半导体微粒层浸入溶液中以形成半导体薄膜。通过本发明,可以使用无机半导体微粒作为起始材料通过简单方便的湿处理来以低成本地形成具有期望特性的半导体薄膜,从而提供具有期望特性的电子设备。 |
申请公布号 |
CN101685845B |
申请公布日期 |
2012.11.14 |
申请号 |
CN200910176186.5 |
申请日期 |
2009.09.24 |
申请人 |
索尼株式会社 |
发明人 |
平田晋太郎;保原大介 |
分类号 |
H01L51/00(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
余刚;吴孟秋 |
主权项 |
一种半导体薄膜的形成方法,包括以下步骤:(a)在基板上涂敷无机半导体微粒分散溶液并对涂层进行干燥以形成半导体微粒层,所述基板的一部分进行了表面处理以具有与所述无机半导体微粒的亲和性,并且所述无机半导体微粒的表面上形成有保护层,所述保护层的材料是具有能结合到所述无机半导体微粒的官能团的分子;以及(b)将所述半导体微粒层浸入半导体薄膜形成溶液中以形成半导体薄膜,其中所述半导体薄膜形成溶液包括含有二硫醇化合物的乙醇,并且经过步骤(a),所述基板上存在所述无机半导体微粒的比率为80%以上;并且经过步骤(b),所述基板上存在所述半导体薄膜的比率为95%以上。 |
地址 |
日本东京 |