发明名称 离子植入方法
摘要 一种离子植入方法,用于将离子植入一靶材,以在靶材形成一非均匀剂量分布之离子植入,此离子植入方法,系利用转动靶材并配合一等速率扫描将复数离子植入靶材;或,亦可在不转动靶材的前提下使用变动速率将复数离子植入靶材。不需提供浓度均匀分布的离子束即可制造出特殊剂量分布之离子植入结果,可减少制程时间且提高制程良率。
申请公布号 TWI376732 申请公布日期 2012.11.11
申请号 TW096127172 申请日期 2007.07.26
申请人 汉辰科技股份有限公司 发明人 林伟政;沈政辉
分类号 H01L21/265 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人 蔡朝安 新竹市科学工业园区力行一路1号E之1;郑淑芬 新竹市科学园区力行一路1号E之1
主权项 一种离子植入方法,用于将离子植入一靶材,以在该靶材形成一非均匀剂量分布之离子植入,该离子植入方法,系包含下面步骤:提供一离子束,其中该离子束中含有复数个离子;依据该靶材所需植入离子之浓度分布,改变该离子束之离子浓度分布;转动该靶材;以及将该离子束中之该些离子依据一等速率扫描植入该靶材。如请求项1所述之离子植入方法,更包含调整该靶材之一垂直轴的角度。一种离子植入方法,用于将离子植入一靶材,以在该靶材形成一非均匀剂量分布之离子植入,该离子植入方法,系包含下面步骤:提供一离子束,其中该离子束中含有复数个离子;转动该靶材;依据该靶材所需植入离子之浓度分布,改变该靶材扫描路径之密度;以及将该离子束中之该些离子依据一等速率扫描植入该靶材。如请求项3所述之离子植入方法,其中当该靶材上所需离子浓度越高则对该靶材扫描之路径密度越高。如请求项3所述之离子植入方法,更包含调整该靶材之一垂直轴的角度。一种离子植入方法,用于将离子植入一靶材,以在该靶材形成一非均匀剂量分布之离子植入,该离子植入方法,系包含下面步骤:提供一离子束,其中该离子束中含有复数个离子;以及将该离子束中之该些离子依据一扫描速率对该靶材进行二为扫描,其中该扫描速率是指依单一扫描的扫描速率且该扫描速率为一变动值;及依据该靶材所需植入离子之浓度分布,控制每一单一扫描的一扫描速率曲线,且每一单一扫描的一平均速率随着剂量分布做调整。如请求项6所述之离子植入方法,更包含计算该离子束之一扫描速率曲线及转动该靶材,其中该扫描速率曲线系针对该离子束之浓度分布与该靶材所需植入离子之浓度分布经由运算而得。如请求项6所述之离子植入方法,更包含调整该靶材之一垂直轴的角度。一种调整离子束扫描速率之方法,用于将一离子束中之复数个离子植入一靶材,以在该靶材形成一非均匀剂量分布之离子植入,其中该离子束系浓度非均匀分布之离子束,该调整离子束扫描速率之方法,包含:取得该离子束之浓度分布;取得该靶材所需植入离子之浓度分布;以及计算该离子束之一扫描速率曲线,其中该扫描速率曲线系针对该离子束之浓度分布与该靶材所需植入离子之浓度分布经由运算而得。如请求项9所述之调整离子束扫描速率之方法,计算出扫描速率后,更包含判断该扫描速率曲线是否落入一有效区间值内。如请求项10所述之调整离子束扫描速率之方法,其中若该扫描速率曲线范围超出该有效区间,则更包含一调整步骤,调整该离子束之浓度分布。如请求项11所述之调整离子束扫描速率之方法,其中进行该调整步骤后,重新计算该扫描速率曲线。如请求项12所述之调整离子束扫描速率之方法,其中该靶材包含晶圆。
地址 新竹县宝山乡新竹科学工园区研新一路18号5楼