承受体

摘要

本发明之课题;提供一种被使用于于半导体磊晶成长，可同时复数得到均一性高的磊晶膜之承受体(susceptor)。;本发明之解决手段;本发明之承受体，系由在外侧具有复数可自由装置复数基板之面的桶型承受体；和其内部配置有上述桶型承受体，并具有分别对上述桶型承受体的上述面各自以同方向倾斜配置之面的构件，所构成。又，系由在内侧具有复数可自由装置复数基板之面的桶型承受体；和其外周部配置有上述桶型承受体，并具有分别对上述桶型承受体的上述面各自以同方向倾斜配置之面的构件，所构成。

主权项

一种承受体(susceptor)，系被用在半导体磊晶成长；其特征系：由在外侧具有复数可自由载置复数基板之载置面的桶型承受体；和其内部配置有上述桶型承受体，并具有分别对上述桶型承受体的上述载置面各自以平面间距离5~60mm的间隔做对向配置之对向面的构件，所构成。一种承受体(susceptor)，系被用在半导体磊晶成长；其特征系：由在内侧具有复数可自由载置复数基板之载置面的桶型承受体；和其外周部配置有上述桶型承受体，并具有分别对上述桶型承受体的上述载置面各自以平面间距离5~60mm的间隔做对向配置之对向面的构件，所构成。如申请专利范围第1项或第2项所记载之承受体，其中：上述构件之上述筒型承受体侧的对向面，系可自由载置复数基板者。如申请专利范围第1项或第2项所记载之承受体，其中：上述桶型承受体及上述部材中之至少其中一方，系加热器者。如申请专利范围第1项或第2项所记载之承受体，其中：系由含有石墨之基材所构成者。如申请专利范围第5项所记载之承受体，其中：系由多结晶碳化矽或多结晶碳化钽所覆盖者。